[发明专利]一种两相混杂结构(AgInSe2

摘要

本发明涉及一种两相混杂结构(AgInSe2)y(Ag2Se)z热电材料及其制备工艺，其要点是在AgInSe2相中原位生长Ag2Se次相，上述y、z的取值为y＝0.806～0.715，z＝0.194～0.285。制备时，根据化学式Ag1+2xInSe2+x(0.25～0.4)将Ag、In、Se三种元素配比，配比时过量设置Ag和Se，且过量Ag含量是过量Se含量的两倍，配比后放置在石英管内真空熔炼合成，通过控制温度、合成时间，并经降温、退火、冷却至是室温后，经粉碎和球磨后，再经放电等离子火花烧结成形，制备得到该热电材料。该材料无污染，无噪音，具有运行可靠，寿命长，制备工艺简单的优点。