[发明专利]用于光学邻近修正的重定位方法在审
申请号: | 202010540641.1 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN113741139A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 林俊良 | 申请(专利权)人: | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种用于光学邻近修正的重定位方法,包括提供布局图案;指定沿布局图案的线段排列的评估点;识别出问题区域,其中每一问题区域包括至少一线段转折处;依据问题区域的几何图形而对其分类;将每一问题区域分为分别具有至少一评估点的多个重定位区段;进行扫描以取得多条线段在每一重定位区段处的线宽,且取得从每一线段的从每一重定位区段处往外延伸直到接触另一线段的邻近空间的尺寸;以及根据每一评估点对应的线宽、每一评估点对应的邻近空间尺寸、每一评估点所属问题区域的几何图形以及每一评估点所属重定位区段的位置而重新定位评估点。 | ||
搜索关键词: | 用于 光学 邻近 修正 定位 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备