[发明专利]改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法在审
| 申请号： | 202010517985.0 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111639441A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 马飞 | 申请（专利权）人： | 无锡工艺职业技术学院 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;H01L29/73 |
| 代理公司： | 宜兴知初知识产权代理事务所(普通合伙) 32418 | 代理人： | 朱进 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的方法，先获取双极晶体管单元结构的电参数要求及结构参数要求，接着根据电参数要求及结构参数要求建立适用于双极晶体管电学性能温度特性的Klaassen模型，然后采用TCAD半导体器件仿真软件仿真并解析Klaassen模型，最后建立基于Klaassen模型的收敛域函数，以提高Klaassen模型的精确度。采用本发明的设计方案，通过Klaassen模型的建立，并仿真可以探究晶体管电流放大倍数及高低温变化率的影响因素，进一步确认更加合理的太阳能电池片生产工艺，为太阳能电池片的质量提升提供指导。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 功率 晶体管 电流 放大 倍数 低温 变化 方法 | ||
【主权项】：
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