[发明专利]一种多晶B4有效

专利信息
申请号: 202010516771.1 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN111606711B 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 欧阳晓平;王海阔;欧阳潇;谈仲军 申请(专利权)人: 欧阳晓平
主分类号: C04B35/563 分类号: C04B35/563;C04B35/575;C04B35/622;C04B35/645
代理公司: 郑州明德知识产权代理事务所(普通合伙) 41152 代理人: 张献伟
地址: 450001 河南省郑*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种多晶B4C—SiC双层复合材料及其制备方法,属于无机非金属材料领域,该方法以B4C多晶块体或粉末、SiC多晶块体或粉末为原料,通过对原料进行净化处理,预压成型,预压成型的原料用金属包裹体包裹,装配高压组装单元,放置于超高压设备中,在600‑2300℃,1‑25 GPa高温高压条件下烧结,制得多晶B4C—SiC双层复合材料;利用本发明制备的多晶B4C—SiC双层复合材料具有多晶SiC与多晶B4C双层结构,SiC层与B4C层经高温高压烧结在一起,两层多晶体结合紧密,晶粒大小分布均匀,致密度高;该多晶B4C—SiC双层复合材料既具备B4C较高硬度、较高断裂韧性、密度小的特点,又结合了SiC成本低、易烧结的优点。
搜索关键词: 一种 多晶 base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧阳晓平,未经欧阳晓平许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010516771.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top