[发明专利]强制积露的纳米水离子发生的装置及其方法在审
| 申请号： | 202010513786.2 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111585175A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 邱庆彬;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 平流层复合水离子（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01T23/00 | 分类号： | H01T23/00;H01T19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种强制积露的纳米水离子发生的装置及其方法，冷气流动力组件固定安装于固定安装板之上，杆底座固定安装于冷气流动力组件的顶部，杆主体的下端垂直固定于杆底座之上，杆主体的上端粘接有水质覆盖层，第一电极的电极主干的外端固定于外壳的内壁的上部，第二电极的电极主干的外端固定于外壳的内壁的上部，杆主体的顶部位于第一电极的电极头与第二电极的电极头之间且位于第一电极的下方，外壳正对杆主体处开设有第二进风口。本发明使电荷转移直接发生在水质覆盖层与第一、第二电极之间，提高了水分子的电离效果；第一、第二电极对强制气流的阻隔效果较小，能更快的补充水质覆盖层电离时所消耗的水质，从而达到稳定长效的工作状态。 | ||
| 搜索关键词： | 强制 纳米 离子 发生 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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