[发明专利]一种致密石英坩埚高纯涂层的制备方法在审
| 申请号： | 202010476670.6 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111589678A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 邓亮亮;苏成;邢夫龙;王海果;孙春浩;王荣光;王晨 | 申请（专利权）人： | 徐州协鑫太阳能材料有限公司 |
| 主分类号： | B05D7/00 | 分类号： | B05D7/00;B05D7/24;C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京淮海知识产权代理事务所(普通合伙) 32205 | 代理人： | 刘振祥 |
| 地址： | 221000 江苏省徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种致密石英坩埚高纯涂层的制备方法，包括以下方法：利用石英砂、硅溶胶、去离子水、陶瓷粘结剂制备致密层浆料；利用石英砂、硅溶胶、去离子水、陶瓷粘结剂制备疏松层浆料；利用石英砂、去离子水、降氧剂制备保护层浆料；对需要制备高纯涂层的坩埚基体或者高纯基体进行表面润湿处理；对于坩埚基体或者高纯基体中硅液线以下的区域采用致密层浆料进行致密层涂刷；对于坩埚基体或者高纯基体中硅液线以下区域采用疏松层浆料进行疏松层涂刷；烘干处理；对于坩埚基体或者高纯基体中硅液线以下区域采用保护层浆料进行保护层涂刷。该方法可以有效阻隔金属杂质侵入的情况发生，可以确保涂层与基体的牢固结合，并有利于促进晶片转化率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 石英 坩埚 高纯 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州协鑫太阳能材料有限公司，未经徐州协鑫太阳能材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010476670.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
