[发明专利]一种调节导磁柱霍尔推力器磁分界面形态的磁路设计方法有效
| 申请号： | 202010443375.0 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111622912B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李鸿;钟超;丁永杰;魏立秋;于达仁 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 邓宇 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种调节导磁柱霍尔推力器磁分界面形态的磁路设计方法，涉及一种霍尔推力器磁分界面形态的磁路结构设计技术，为了解决现有的导磁柱霍尔推力器存在磁分界面，导致电子损失高、电子利用效率低以及推力器放电效率低的问题。本发明通过在所述导磁柱霍尔推力器上增加上侧外壳或下侧外壳；通过改变上侧外壳或下侧外壳的位置、高度和厚度，实现调整磁分界面的形态；增设上侧外壳以增大磁分界面与推力器轴线的角度；增设下侧外壳以减小磁分界面与推力器轴线的角度；上侧外壳间隔设置在外励磁线圈外侧，并与外磁极的外边缘接触；下侧外壳间隔设置在外励磁线圈外侧，并与底板的外边缘接触。有益效果降低电子损失、提升电子利用效率、实现推力器高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 导磁柱 霍尔 推力 器磁分 界面 形态 磁路 设计 方法 | ||
【主权项】：
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