[发明专利]一种基于中空MOFs材料的低阻高选择性混合基质膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010429470.5 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111617645A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 郑文姬;丁锐;贺高红;代岩;焉晓明;阮雪华;杨凯 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B01D71/72 | 分类号： | B01D71/72;B01D69/02;B01D67/00;B01D53/22;C08G83/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 刘秋彤;梅洪玉 |
| 地址： | 124221 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于中空MOFs材料的低阻高选择性混合基质膜的制备方法，属于膜分离技术领域。本发明首先使用纳米尺寸的羧基化聚苯乙烯作为硬模板，使得MOFs在聚苯乙烯表面生长，通过DMF蚀刻制得纳米级的中空MOFs微球，使用制备的中空MOFs材料与聚合物基质共混制备混合基质膜。所述制备方法使用纳米级的中空MOFs为填料，纳米尺寸的MOFs材料有助于提高MOFs与基质之间的相容性，从而制备无缺陷的混合基质膜，提高选择性；另外，中空结构的存在，能够有效的减小混合基质膜的传质距离，从而降低膜的传质阻力，提高气体渗透速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 中空 mofs 材料 低阻高 选择性 混合 基质 制备 方法 | ||
【主权项】：
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