[发明专利]具备倒装结构的VCSEL、VCSEL阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202010427966.9 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111342338A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 方照诒;郭浩中;潘德烈 | 申请（专利权）人： | 北京金太光芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 | 代理人： | 李佳佳 |
| 地址： | 100006 北京市东城*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备倒装结构的VCSEL、VCSEL阵列及其制备方法，所述VCSEL包括衬底、设置于所述衬底之上的第一镜层、设置于所述第一镜层之上的活化层和设置于所述活化层之上的第二镜层，所述第二镜层之上设置钼金属层，所述第二镜层与所述钼金属层之间设置有上电极层，所述衬底与所述第一镜层之间设置有蚀刻制止层，所述蚀刻制止层材质不同于所述衬底材质，所述衬底设置光窗用于光线射出，且所述衬底的非光窗区域设置底部电极。所述VCSEL阵列包括至少2个所述VCSEL。本发明金属散热层制备简单，且适宜制作高功率阵列VCSEL芯片，同时对电极制作工艺也进行了简化，对光刻工艺精度要求降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 倒装 结构 vcsel 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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