[发明专利]一种用于低磁场下仲氢诱导极化装置及方法在审

专利信息
申请号: 202010417047.3 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN111537540A 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 王伟宇;徐君;邓风 申请(专利权)人: 中国科学院精密测量科学与技术创新研究院
主分类号: G01N24/08 分类号: G01N24/08;G01R33/30;G01R33/44
代理公司: 武汉宇晨专利事务所 42001 代理人: 李鹏;王敏锋
地址: 430071 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种用于低磁场下仲氢诱导极化装置,包括仲氢进气通道、保护气体进气通道和反应气体进气通道,仲氢进气通道、保护气体进气通道和反应气体进气通道的出气端均分别与第六直通阀一端和第七直通阀一端连接,第七直通阀另一端与反应器的进口端连接,反应器的出口端与第四单向阀的进端连接,反应器位于加热炉内,加热炉与加热炉控制器连接,第四单向阀的出端通过采样进气管与反应采样管连接,高斯计设置在反应器的出口端附近,高斯计与磁场强度显示仪连接。本发明还公开了一种用于低磁场下仲氢诱导极化方法。本发明结构简单,控制操作简便,实现高效的极化产生及稳定的极化核磁谱图信号采集。
搜索关键词: 一种 用于 磁场 仲氢 诱导 极化 装置 方法
【主权项】:
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