[发明专利]一种横向MIM格点阵等离激元吸收器有效
| 申请号： | 202010416222.7 | 申请日： | 2020-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN111552014B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 肖功利;杨文琛;薛淑文;杨宏艳;杨寓婷;张开富;李海鸥 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明为一种横向MIM格点阵等离激元吸收器，由介质基底和具有周期性的金属纳米颗粒阵列构成，每组金属纳米颗粒由两个相对的金长方体块及其中间所夹的介质层构成。入射光为磁场方向平行于介质基底平面的TM平面波，其波矢k与竖直方向有一定夹角，从而可以在金属纳米颗粒阵列中激发OLP形式的格点阵等离激元，且相邻的纳米金属单元之间会产生较强的共振耦合，在特定的结构参数和入射角下就会对入射光产生特定的吸收峰。并且相比于与其它基于阵列的等离激元吸收器具有很高的品质因数和很好的调谐性，该横向MIM格点阵等离激元吸收器在微纳光学集成器件领域具有着良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 mim 点阵 离激元 吸收 | ||
【主权项】：
暂无信息
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