[发明专利]一种铌酸锂薄膜光波导结构、芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010399608.1 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113655564A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李萍 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌酸锂薄膜光波导结构、芯片及其制备方法，其中，铌酸锂薄膜光波导结构，包括下包层、薄膜基板和上包层，下包层形成于基底晶片的上方，薄膜基板放置于下包层的上方；还包括下述结构中的一种：第一：薄膜基板的上表面形成有脊形结构，脊形结构为在薄膜基板的上表面形成得到的凸起结构；上包层由形成于脊形结构的左侧、右侧以及上方的介质材料构成；第二：薄膜基板进行完全的刻蚀处理，形成独立的薄膜基板芯层，薄膜基板芯层放置于下包层的上方，上包层由形成于薄膜基板芯层的左侧、右侧以及上方的介质材料构成。本申请结构能够降低光波导的折射率差，减少高阶光波模式在铌酸锂薄膜光波导中的存在，并增大光波模式的空间分布尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 薄膜 波导 结构 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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