[发明专利]一种高耐电性能GIS/GIL盆式绝缘子的多层次优化设计方法有效
| 申请号： | 202010379116.6 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111553089B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张冠军;王超;李文栋;江智慧;杨雄;薛建议 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06N3/006;G06N3/126;G06F111/06;G06F111/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高耐电性能GIS/GIL盆式绝缘子的多层次优化设计方法，包括初步设计阶段和详细设计阶段，在初步设计阶段，采用轮廓形状优化，构建GIS/GIL盆式绝缘子的基本外形，利用二维轮廓函数描述盆体凸面和凹面的形状，考虑引入介电功能梯度材料分布，利用拓扑优化调整介电特性空间分布主动调控电场分布，进一步深度均化沿面电场；在详细设计阶段，根据介电分布拓扑优化的结果，将优化出的梯度绝缘区域转化介电常数不变的高介电区域，对高压侧金属附件及高介电区域的尺寸进行微调，采用遗传算法或蚁群算法寻找出最优的尺寸参量，完成对GIS/GIL用盆式绝缘子的设计。本发明能够充分拓展设计空间，实现沿面电场的深度抑制，达到提升盆式绝缘子击穿电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高耐电 性能 gis gil 绝缘子 多层次 优化 设计 方法 | ||
【主权项】：
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