[发明专利]一种采用铌改善二硫化钼气体传感器的方法及传感设备在审
申请号: | 202010367463.7 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN111398367A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 王怀璋;梁婷;王阳阳;陈静飞;阎瑞;李江存;顾进 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军陆军防化学院 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人: | 郭峰 |
地址: | 100000 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及传感器技术领域,尤其涉及一种采用铌改善二硫化钼气体传感器的方法及传感设备。本发明提供了一种采用铌改善二硫化钼气体传感器的方法,包括以下步骤:制备基底;在基底上利用化学沉积法制备介质层;预处理硫粉、三氧化钼和氯化铌,在介质层上制备掺杂铌的二硫化钼层;在掺杂铌的二硫化钼层上制备叉指电极;叉指电极连接外接引脚。本发明还提供了一种传感设备,包括盒体和利用上述的采用铌改善二硫化钼气体传感器的方法制备的传感器。采用上述方案,利用铌(Nb)对二硫化钼层进行掺杂,克服钼空位、硫空位导致的不利影响,能加快传感器的反应时间、减少恢复时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 改善 二硫化钼 气体 传感器 方法 传感 设备 | ||
【主权项】:
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