[发明专利]一种可量产的高纯SiC陶瓷涂层的低温常压烧结制备方法有效
| 申请号： | 202010328719.3 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111517797B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 梅辉;赵钰;常鹏;成来飞 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/577 | 分类号： | C04B35/577;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可量产的高纯SiC陶瓷涂层的低温常压烧结制备方法，以涂层的形式应用于需要耐高温、抗氧化及耐腐蚀等防护性能的领域。其技术特征在于步骤为调配高纯SiC料浆、刷涂和低温无压烧结。本发明所提供的技术方案通过调控高纯SiC料浆配方来控制SiC涂层的纯度和烧结温度，实现高纯SiC涂层在1750～1800℃的常压烧结和工业化制备生产。本发明中高纯SiC的料浆配方及刷涂和烧结过程灵活可控，涂层与基体结合良好，无明显剥落和裂纹，工艺过程操作简单，耗时短，大幅度降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量产 高纯 sic 陶瓷 涂层 低温 常压 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】：
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