[发明专利]一种可重构敏感方向的TMR磁场传感器及制备方法有效
| 申请号： | 202010323986.1 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111505544B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王志广;胡忠强;苏玮 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 贺小停 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种可重构敏感方向的TMR磁场传感器及制备方法，包括压电衬底材料、电极层和TMR敏感材料；电极层生长在压电衬底材料背面，TMR敏感材料设置在压电衬底材料正面；TMR敏感材料包括MTJ阵列、连接电极和调节电极；MTJ阵列由M×N个间隔设置的MTJ单元组成；连接电极用于串联MTJ阵列中位于同一排的两个相邻的MTJ单元；调节电极从连接电极引出。本发明通过将MTJ阵列型TMR磁场传感器集成在压电衬底上，实现了电场作用下对于TMR磁场传感器磁敏感方向的偏转。与传统三维TMR磁传感器相比，本发明的可重构磁传感器具有较高的局域磁场特性，即可在较小尺寸的TMR传感器基础上同时实现空间内的均匀磁场强度测量及较某一位置的磁场方向测定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可重构 敏感 方向 tmr 磁场 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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