[发明专利]一种基于CMOS工艺的负压基准电路在审
| 申请号： | 202010316177.8 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111352461A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 徐宏林;张浩;吴俊杰;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十四研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 熊敏敏;高娇阳 |
| 地址： | 210039 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CMOS工艺的负压基准电路，属于集成电路技术领域。本发明包括基准源核心电路和参考电平转换电路，所述基准源核心电路，产生相对于负压电源的参考电压；所述参考电平转换电路，用于产生参考于地的负压基准输出；所述基准源核心电路的输出端与参考电平转换电路的运算放大器正向输入端相连，基准源核心电路和参考电平转换电路均连接同一地和同一负压电源，电阻为同类型电阻。本发明将由传统的基准源核心电路产生的相对于负压电源的参考电压转换成所需的负压基准，解决在传统CMOS工艺上实现高精度负压基准难度大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 工艺 基准 电路 | ||
【主权项】：
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