[发明专利]一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法有效
| 申请号： | 202010277519.X | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111584707B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 汤演;刘晓宇;李浩;尤立星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H10N60/01 | 分类号： | H10N60/01;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 魏峯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，采用ZEP‑520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，AR‑P 6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶。本发明采用的两种抗蚀剂均可在邻二甲苯中显影，且去胶过程可于相同步骤中同时进行，工艺更为简单，通过与多种溶剂配合实现曲折纳米线结构的溶胶剥离；同时，利用两种抗蚀剂中心剂量的差距实现底切结构，具有流程简单、重复性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 snspd 器件 纳米 结构 双层 剥离 方法 | ||
【主权项】：
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