[发明专利]一种薄层热阻测试探针的结构及测试方法有效

专利信息
申请号: 202010250313.8 申请日: 2020-04-01
公开(公告)号: CN111289562B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 冯士维;李轩;郑翔;何鑫;白昆;潘世杰 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01N25/20 分类号: G01N25/20;G01N25/18
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种薄层热阻测试探针的结构及测试方法,属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所述热测试探针结构包括:探头芯片及封装结构。其中:探头芯片包括由多个二极管串联及并联组成的温度探头,掺杂多晶硅图形构成的微加热器,引线电极及半导体衬底材料;封装结构包括用于固定探头芯片和引出电极的基板和用于移动探头芯片及施加压力的弹簧支撑结构。本发明设计了一种采用双面工艺的Si基测温探头芯片组成的薄层热阻测试探针结构,采用加热源与测量源分离的结构设计,能够实现加热状态和测量状态同时进行,不存在开关延迟,可以对半导体芯片及薄层材料实现非开关式的热阻测量。
搜索关键词: 一种 薄层 测试 探针 结构 方法
【主权项】:
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