[发明专利]半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质有效
| 申请号： | 202010194800.7 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111458617B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 艾精文;罗欣儿;李伟;余思达;李家辉;彭泽亚 | 申请（专利权）人： | 深圳供电局有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 518001 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质，所述半导体器件可靠性检测方法，包括对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组。本申请所述半导体器件可靠性检测方法分别对所述半导体器件从参数一致性水平、热性能水平、结构分析水平、工艺适应性水平和耐久性水平五个维度进行测试，检测维度更广。本申请所述半导体器件可靠性检测方法解决了现有技术中存在的目前对于IGBT产品可靠性的评价方法准确度低的技术问题，达到了提高对于IGBT产品可靠性的评价方法准确度的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 可靠性 检测 方法 装置 计算机 设备 介质 | ||
【主权项】：
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