[发明专利]上电极中置电极对角分布垂直腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 202010189149.4 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111370994B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 晏长岭;逄超;杨静航;冯源;郝永芹;张剑家 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/187;H01S5/30 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
上电极中置电极对角分布垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。本发明其特征在于，中空的柱体包括两部分，一部分是内含齐顶高阻区的圆环柱体，该圆环柱体的轴线与圆柱形齐顶高阻区的轴线重合，另一部分是自所述圆环柱体侧面任意处拓展出去的螺旋线柱体，该螺旋线柱体的螺旋线极坐标方程为 |
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| 搜索关键词： | 电极 对角 分布 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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