[发明专利]一种表面粗糙的纳米阵列结构的制备方法在审
| 申请号： | 202010181608.4 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111413312A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王雅新;温嘉红;赵晓宇;张永军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及复合材料的微纳加工技术领域，公开了一种表面粗糙的纳米阵列结构的制备方法，包括以下步骤：通过自组装的方法制备有序的单层聚苯乙烯微球阵列；利用等离子体刻蚀技术对聚苯乙烯微球阵列进行刻蚀，使聚苯乙烯微球直径缩小；利用离子束轰击技术对刻蚀完成的聚苯乙烯微球阵列进行轰击，使聚苯乙烯微球表面变得粗糙；利用磁控溅射技术在轰击完成的聚苯乙烯微球阵列表面溅射纳米阵列结构材料，即获得表面粗糙的纳米阵列结构。通过本发明的制备方法获得的纳米阵列结构中，各纳米粒子表面粗糙，因而具有比表面积大、活性大、光散射增加的优点，且各纳米粒子体积小，整个纳米阵列结构周期性好，在应用上更具优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 粗糙 纳米 阵列 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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