[发明专利]eFuse存储单元、eFuse存储阵列及其使用方法、eFuse系统在审
| 申请号： | 202010130434.9 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327641A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李晓华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种eFuse存储单元、eFuse存储阵列及其使用方法、eFuse系统，eFuse存储单元包括：编程晶体管，编程晶体管的源极接地；第一电熔丝，具有第一端以及与第一端相对的第二端，第一端与编程晶体管的漏极连接；一根或多根相并联的第二电熔丝，第二电熔丝与第一电熔丝相并联，第二电熔丝具有第三端以及与第三端相对的第四端，第三端与编程晶体管的漏极连接；字线，与编程晶体管的栅极连接；第一编程位线，与第一电熔丝的第二端连接；一根或多根第二编程位线，与第二电熔丝一一对应，第二编程位线与相对应的第二电熔丝的第四端连接。本发明提供的eFuse存储单元具有至少两次被编程的机会，从而提高了eFuse存储阵列的良率。 | ||
| 搜索关键词： | efuse 存储 单元 阵列 及其 使用方法 系统 | ||
【主权项】：
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