[发明专利]一种基于双预测PI的薄膜转绕系统张力控制方法在审

专利信息
申请号: 202010121325.0 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN111377286A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 李勇;任正云 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: B65H26/04 分类号: B65H26/04
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 徐俊
地址: 201600 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于双预测PI的薄膜转绕系统张力控制方法,涉及薄膜制造行业的工业控制领域,其实质是控制张力稳定来保证薄膜的生产质量,其针对薄膜转绕张力系统存在的积分加纯滞后的特点,使用双预测PI控制算法的I部分消除系统的积分特性,使用双预测PI算法的预测部分来消除滞后特性,内环采用预测PI控制器将积分加纯滞后对象转换成为常见的一阶惯性加纯滞后对象,外环采用预测PI控制对包括内环控制器在内的广义对象进行控制,提高了对薄膜转绕张力系统的张力的实时控制,能稳定的保持输出跟随输入变化;根据薄膜转绕张力系统的滞后时间来计算双预测PI控制算法中的控制参数,根据控制效果来调节控制器的时间常数T,根据增加干扰来确定双预测PI控制算法的抗稳定能力。
搜索关键词: 一种 基于 预测 pi 薄膜 系统 张力 控制 方法
【主权项】:
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