[发明专利]横向双扩散晶体管的电路系统及其建模方法有效
| 申请号： | 202010113199.4 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111368490B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 蒋盛烽;陆阳 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/36 | 分类号： | G06F30/36 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种横向双扩散晶体管的电路模型及其建模方法，该电路模型包括：标准BSIM4模型；以及漂移区等效电阻，所述漂移区等效电阻包括多个电阻修正项系数，用于修正漂移区电阻，其中，所述电路模型用于表征横向双扩散晶体管的饱和阈值电压和漏极电流的变化特性。该LDMOS的电路模型及其建模方法在BSIM4模型的基础上，加上了定制的漂移区等效电阻，来准确的表征LDMOS中的准饱和效应，使得该电路模型在利用BSIM4模型的收敛性、兼容性和较快的仿真速度的同时，也能准确地表征LDMOS的各种特性，缩短电路设计周期，克服了BSIM模型无法准确表征LDMOS的特性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 晶体管 电路 系统 及其 建模 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰华特微电子股份有限公司，未经杰华特微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010113199.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
