[发明专利]负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法有效
| 申请号： | 202010097766.1 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN112750611B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 郭芳;梁红艳 | 申请（专利权）人： | 京磁材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 卞静静 |
| 地址： | 101300 北京市顺义区林河南*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法，包括：1)制备烧结钕铁硼的黑片；2)采用磁控溅射方法对烧结钕铁硼黑片进行负载TiO |
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| 搜索关键词： | 负载 纳米 薄膜 改善 烧结 ndfeb 扩散 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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