[发明专利]一种强关联材料的非弹性中子散射数据解析方法有效
| 申请号： | 202010073981.8 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111324855B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘本琼;庞蓓蓓;宋建明;李鑫;胡丙锋;黄朝强;孙光爱 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
| 主分类号： | G06F17/11 | 分类号： | G06F17/11;G01N23/202 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种强关联材料的非弹性中子散射数据解析方法，该数据解析方法包括下列步骤：步骤(a)将传统的晶体场哈密顿量对角化，计算本征值A和本征矢量A；步骤(b)综合声子的贡献和磁弹耦合相互作用因素，将总的哈密顿量进行对角化，计算本征值B和本征矢量B；步骤(c)根据步骤(b)得到的本征矢量B，计算矩阵元；步骤(d)根据步骤(b)得到的本征值B和步骤(c)的矩阵元，计算中子散射函数，拟合中子散射实验数据，得到磁弹耦合系数g。本发明适用于拟合在强关联材料的磁相变温度之上观测到的非弹性中子散射数据，并可用于分析材料中晶体场激发与声子耦合的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 关联 材料 弹性 中子 散射 数据 解析 方法 | ||
【主权项】：
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