[发明专利]一种基于地层模拟的电阻率校正方法有效
| 申请号： | 202010059532.8 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111255446B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 向葵;童小龙;严良俊 | 申请（专利权）人： | 长江大学 |
| 主分类号： | E21B49/00 | 分类号： | E21B49/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 434000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于地层模拟的电阻率校正方法，通过实验室测试建立不同岩性电阻率随包括温度、压力、孔隙度在内的因素变化的理论模型，将测区岩石电性的测井资料、实验室测量资料校正至相应的地层条件，建立有效的地电初始模型。本发明通过模拟岩样所在测区不同深度的温压环境，测量岩石不同深度条件下的复电阻率振幅与相位，获取岩石激电参数与温度压力关系，进而对已有的地电资料进行校正，获取电磁勘探意义下的初始地电模型，其目的是解决岩石地电的测井资料、实验室资料与勘探条件不匹配问题，为电磁勘探反演解释评价提供重要参数依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 地层 模拟 电阻率 校正 方法 | ||
【主权项】：
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