[发明专利]一种新型磁性薄层印迹膜的制备方法及用途有效

专利信息
申请号: 202010056878.2 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111171233B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 于萍;孙启隆;李剑峰;英昌盛;张伟 申请(专利权)人: 吉林师范大学
主分类号: C08F222/14 分类号: C08F222/14;C08F220/56;C08K3/22;C08J9/26;C08J5/18;C08L35/02;C08L27/16;B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30
代理公司: 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 代理人: 曲德凤
地址: 136000 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供了一种新型磁力诱导青蒿素分子印迹复合膜的制备及用途,制备方法如下:步骤1、制备Fe3O4;步骤2、Fe3O4表面一步法制备薄层磁性青蒿素分子印迹聚合物;步骤3、制备磁场诱导青蒿素分子印迹复合膜。本发明利用磁场诱导的方法制备的分子印迹膜可以有效的克服传统共混印迹膜制备耗时耗长、识别位点易被包埋的缺点,通过一步法制备印迹聚合物、改变洗脱方式、借助磁场力增加有效识别位点数,进而提高分子印迹效率,具有合成简单高效,选择性效率高等优点。
搜索关键词: 一种 新型 磁性 薄层 印迹 制备 方法 用途
【主权项】:
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