[发明专利]太赫兹波辐射源有效
申请号: | 202010040712.1 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN113193465B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 叶嘉蒙;刘力源;刘剑;吴南健 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S1/02 | 分类号: | H01S1/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种太赫兹波辐射源,包括:多个振荡器、多个移相电路和多个片上天线,多个振荡器和多个移相电路交错相连,且形成闭合回路,每个振荡器的输出端连接一个片上天线,振荡器、移相电路和片上天线的数量均相同,振荡器,用于产生基频信号和太赫兹频段的谐波信号,并将基频信号传输给输出端相连的移相电路,将太赫兹频段的谐波信号传输给输出端相连的片上天线,移相电路,用于将输入端接收到的基频信号进行相移,并传输给与输出端相连的振荡器,使移相电路输出端和输入端相连的两个振荡器的基频信号的频率和相位均相同,片上天线,用于将相连的振荡器接收到的太赫兹频段的多次谐波信号进行辐射,可实现太赫兹波装置的小型化和集成化应用。 | ||
搜索关键词: | 赫兹 辐射源 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010040712.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。