[发明专利]一种基于MoO3在审

专利信息
申请号: 202010017147.7 申请日: 2020-01-08
公开(公告)号: CN111122661A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 王钊;胡克洋;杨树林;顾豪爽 申请(专利权)人: 湖北大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00;B82Y15/00
代理公司: 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 代理人: 刘丹;朱必武
地址: 430062 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开一种基于MoO3纳米带修饰石墨烯的室温FET型氢气敏感元件的制备方法及应用,属于无机纳米功能材料技术领域,其主要步骤包括:A:水热法制备MoO3纳米带粉末;B:用磁控溅射法制备FET型氢敏元件的源极、漏极和栅极;C:采用喷涂成膜法将配置好的MoO3纳米带混合液喷涂到源漏电极的中心部位;D:退火处理。本发明中采用对氢气敏感的MoO3纳米带修饰在石墨烯表面,可以明显的提高石墨烯基传感器的性能,因此在氢气的检测过程中,有很大的应用价值。
搜索关键词: 一种 基于 moo base sub
【主权项】:
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