[发明专利]用于低压差调节器的自适应栅极偏置场效应晶体管有效
| 申请号： | 201980069990.5 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112930506B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 吴争争;宋超 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565;G05F1/575;G05F1/618 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文根据特定方面公开了低压差(LDO)调节器的负载电路。负载电路包括场效应晶体管，其具有耦合到电源导轨的源极、栅极和耦合到LDO调节器的传输晶体管的栅极的漏极。负载电路还包括耦合在场效应晶体管的漏极和栅极之间的可调电压源以及电压控制电路，该电压控制电路被配置为检测通过传输晶体管的电流负载的变化，并且基于电流负载中的检测到的变化来调节可调电压源的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低压 调节器 自适应 栅极 偏置 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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