[发明专利]超高动态范围CMOS传感器有效
申请号: | 201980069870.5 | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN113228623B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | H·T·杜;C·宫;P·G·利姆;A·M·麦格纳尼 | 申请(专利权)人: | BAE系统成像解决方案有限公司 |
主分类号: | H04N23/741 | 分类号: | H04N23/741;H04N25/589;H04N25/76;H04N25/771;H04N25/78 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘卓然 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了具有连接到位线的多个像素传感器的成像阵列。每个像素传感器包括:电容性溢流像素传感器,其特征在于具有具有开关端子的溢流电容器、和浮动扩散节点;缓冲放大器,其响应于行选择信号将浮动扩散节点连接到位线的;开关,其将该开关端子连接到地或升压电压的。所述成像阵列还包括开关控制器,其控制所述开关并且连接到所述位线,所述开关控制器确定所述位线上的电压,所述开关控制器在所述像素传感器曝光期间将所述开关端子连接至所述升压电压,并且根据所述位线上的电压,在读取存储在所述溢流电容器中的电荷期间将所述开关端子连接到地或所述升压电压。 | ||
搜索关键词: | 超高 动态 范围 cmos 传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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