[发明专利]RF离子阱离子加载方法在审
| 申请号： | 201980051420.3 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112534547A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | M·古纳 | 申请（专利权）人： | DH科技发展私人贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/00 | 分类号： | H01J49/00;H01J49/42 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 冯雯 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一方面中，公开了一种在质谱仪中处理离子的方法，该方法包括：将具有不同质荷(m/z)比的多种离子捕获在碰撞室中，按照m/z比的降序从碰撞室释放所述离子，并且在具有多个杆的质量分析仪中接收离子，该多个杆中的至少一个杆被施加RF电压，其中，随着释放的离子被质量分析仪接收，RF电压从第一值变化至较低的第二值。 | ||
| 搜索关键词： | rf 离子 加载 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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