[发明专利]针对模拟系统的用于确定晶片的层的蚀刻轮廓的方法在审
| 申请号： | 201980049948.7 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN112543892A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 范期翔;陈峰;赵望石;张幼平 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G06F30/17;G06F30/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 闫红 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述一种用于确定蚀刻轮廓的方法。所述方法包括：确定起始遮蔽层轮廓。确定负载信息。所述负载信息指示针对所述遮蔽层轮廓的蚀刻速率对正被蚀刻的材料的数量和图案的依赖性。确定通量信息。所述通量信息指示所述蚀刻速率对入射到所述遮蔽层轮廓上的辐射的强度和散布角的依赖性。确定再沉积信息。所述再沉积信息指示所述蚀刻速率对从所述遮蔽层轮廓移除且再沉积回到所述遮蔽层轮廓上的材料的量的依赖性。基于所述负载信息、所述通量信息和/或所述再沉积信息，确定所述晶片的所述层的输出蚀刻轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 模拟 系统 用于 确定 晶片 蚀刻 轮廓 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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