[发明专利]在单晶硅锭生产期间确定杂质积累的多个样品棒生长有效
| 申请号： | 201980043763.5 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN112469851B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 卡瑞喜玛·玛莉·哈德森;J·柳 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示其中从熔体生长多个样品棒的用于形成单晶硅锭的方法。测量与所述熔体或所述锭的杂质浓度相关的参数。在一些实施例中，所述样品棒各自具有小于产品锭的直径的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生产 期间 确定 杂质 积累 样品 生长 | ||
【主权项】：
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