[发明专利]制造光子集成电路的方法、光子集成电路及装置有效
| 申请号： | 201980020868.9 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111886528B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 郑大卫;葛毅;杨莉;沈晓 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种用于制造光子集成电路(photonic integrated circuit，PIC)的方法包括：设置绝缘体上硅(silicon‑on‑issulator，SOI)晶圆，其中，所述SOI晶圆包括设置在基半导体层和SOI层之间的绝缘体层，所述SOI层包括波导；在所述SOI层内设置至少一个插槽，其中，所述至少一个插槽位于所述波导的同一侧或相对侧，所述至少一个插槽与所述波导相隔预定距离；去除所述绝缘体层的一部分，以形成所述绝缘体层的蚀刻部分，其中，所述蚀刻部分位于所述波导的正下方，所述蚀刻部分的宽度至少等于所述波导的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光子 集成电路 方法 装置 | ||
【主权项】：
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