[发明专利]延长EUV光刻系统中的光学元件的使用寿命在审
| 申请号： | 201980017251.1 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111837076A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 马悦;A·T·W·肯彭;K·M·休姆勒;J·H·J·穆尔斯;J·H·罗梅斯;H·J·范德威尔;A·D·拉弗格;F·布里祖拉;R·C·怀格斯;U·P·戈梅斯;E·内达诺维斯卡;C·科科玛兹;A·D·金;R·M·杜阿尔特·罗德里格斯·努涅斯;H·A·L·范迪杰克;W·P·范德伦特;P·G·琼克斯;朱秋石;P·雅格霍比;J·S·C·韦斯特拉肯;M·H·A·里恩德斯;A·I·厄肖夫;I·V·福门科夫;刘飞;J·H·W·雅各布斯;A·S·库兹内特索夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02B5/08;H05G2/00;G02B1/14;G21K1/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过气体到包含光学元件的真空室(26)中的受控引入，减少用于生成EUV辐射的系统(SO)中的一个或多个反射光学元件的反射率的劣化。该气体可以被添加到诸如氢气的另一气体流中，或者与氢自由基的引入交替。 | ||
| 搜索关键词： | 延长 euv 光刻 系统 中的 光学 元件 使用寿命 | ||
【主权项】：
暂无信息
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