[实用新型]一种MOS管短路保护电路有效

专利信息
申请号: 201920772252.4 申请日: 2019-05-27
公开(公告)号: CN209709667U 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 施培源;赵志华 申请(专利权)人: 深圳市中孚光电科技有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08;H05B33/08
代理公司: 11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 汤东凤<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 518000 广东省深圳市龙华*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种MOS管短路保护电路,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、二极管D1,电容CE1,MOS管Q1、Q2、Q3。本实用新型的电路解决了电源工作时因短路而导致MOS管Q3雪崩击穿的缺陷,适用于PWM调光电源及匹配恒压电源使用的PWM调光控制器及其它利用MOS管做电源输出开关用途的应用场合。
搜索关键词: 本实用新型 电源 电源输出开关 短路保护电路 二极管 恒压电源 雪崩击穿 电容 短路 电阻 匹配 电路
【主权项】:
1.一种MOS管短路保护电路,其特征在于,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、二极管D1,电容CE1,MOS管Q1、Q2、Q3;所述MOS管Q1的栅极分别连接电阻R1、电阻R2,MOS管Q1的漏极分别连接电阻R4、MOS管Q2的栅极,二极管D1正极连接电阻R3,二极管D1负极分别连接电阻R4、电容CE1,MOS管Q2的栅极分别连接电阻R5、MOS管Q2的漏极,电源VCC连接电阻R5,电阻R2、MOS管Q1的源极、MOS管Q2的源极、电容CE1、MOS管Q3的源极分别连接地,电源输入端正极DC+分别连接电阻R1、电阻R3,电源输入端负极DC-连接MOS管Q1的漏极。/n
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