[实用新型]硅基人工微结构超表面波导耦合器有效

专利信息
申请号: 201920608801.4 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN210119596U 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 何赛灵;董红光;龚晨晟 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G02B6/10 分类号: G02B6/10;G02B6/126;G02B6/24
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林松海
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种硅基人工微结构超表面波导耦合器,包括基底、二氧化硅层、顶层,顶层包括左侧的人工微结构超表面和右侧的波导,人工微结构超表面置于光波导端口的一侧;入射光垂直向下照射,在人工微结构超表面获得相位延迟,引入了额外的表面横向波矢,表面横向波矢与波导工作模式的有效横向波矢相等,满足波导耦合的波矢匹配条件,从而将垂直入射的光耦合到波导中单向传播。本实用新型通过设计硅基人工微结构超表面,使垂直入射的线偏振光高效地耦合进入光波导,并在光波导内单向传播,抑制了光波导中光反向耦合入自由空间的过程,进一步提高了空间光到光波导的耦合效率;能够与现有的CMOS加工工艺兼容,极大的降低了成本,具有广泛的市场前景。
搜索关键词: 人工 微结构 表面 波导 耦合器
【主权项】:
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