[实用新型]同步整流电路有效
申请号: | 201920521421.7 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN209930162U | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | I·C·马西米亚尼 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02M1/08 |
代理公司: | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请的各实施例涉及同步整流电路。感测端子被配置为感测场效应晶体管的漏极至源极电压,并且驱动端子被配置为驱动场效应晶体管的栅极端子以交替地接通和关断场效应晶体管以提供场效应晶体管的沟道中的经整流的电流流动。比较器被配置为执行场效应晶体管的漏极至源极电压与参考阈值的比较并检测参考阈值与漏极至源极电压的交替向下和向上交叉。PWM信号发生器被配置为驱动场效应晶体管的栅极端子以由于由漏极至源极电压对参考阈值的交替向下和向上交叉而接通和关断场效应晶体管。 | ||
搜索关键词: | 场效应晶体管 源极电压 漏极 效应晶体管 栅极端子 配置 驱动场 关断 参考 接通 同步整流电路 电流流动 感测端子 驱动端子 比较器 感测 沟道 检测 申请 | ||
【主权项】:
1.一种同步整流电路,其特征在于,被配置为耦合到场效应晶体管,所述场效应晶体管具有源极端子与漏极端子之间的沟道以及体二极管和被配置为控制所述场效应晶体管沟道中的电流流动的栅极端子,其中所述电路包括:/n感测端子,被配置为感测所述场效应晶体管的漏极至源极电压;/n驱动端子,被配置为驱动所述场效应晶体管的所述栅极端子以交替地接通和关断所述场效应晶体管以提供所述场效应晶体管沟道中的经整流的电流流动;/n比较器,耦合到所述感测端子,所述比较器被配置为执行所述场效应晶体管的所述漏极至源极电压与参考阈值的比较并检测所述参考阈值与所述漏极至源极电压的交替向下和向上交叉;以及/nPWM信号发生器,耦合到所述比较器和所述驱动端子,所述PWM信号发生器被配置为驱动所述场效应晶体管的所述栅极端子以由于由所述漏极至源极电压对所述参考阈值的所述交替向下和向上交叉而接通和关断所述场效应晶体管。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920521421.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:开关电源和开关电源的控制电路
- 下一篇:一种高精度数控电源