[实用新型]高可靠性MOS过流保护电路有效
| 申请号： | 201920327904.3 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN209516622U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 李玺;单士忠 | 申请（专利权）人： | 青岛贝斯克电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20;H02H3/04;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 苏友娟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供高可靠性MOS过流保护电路，包括比较器芯片U1A，所述比较器芯片U1A的同相输入端第一支路通过导线与二极管D1的阳极相连接，第二支路通过导线接二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极通过导线接电源端子VCC，所述二极管D2的阳极通过导线接二极管D3的阴极，所述二极管D3的阳极接地，所述电源端子VCC通过电阻R1以及电容C1接地，所述比较器芯片U1A的同相输入端通过导线和电阻R1与电容C1的连接节点相连接，所述二极管D1的阴极通过导线接MOS管Q1的漏极，所述MOS管Q1的源极接地，所述MOS管Q1的栅极第一支路引出端子M_QD，第二支路通过导线接比较器芯片U1B的同相输入端，该设计实现了MOS过流保护的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 比较器芯片 支路 阴极 同相输入端 阳极 过流保护电路 电源端子 高可靠性 电容 电阻 本实用新型 过流保护 连接节点 阳极接地 引出端子 源极接地 接地 漏极 | ||
【主权项】：
1.高可靠性MOS过流保护电路，包括比较器芯片U1A，其特征在于：所述比较器芯片U1A的同相输入端第一支路通过导线与二极管D1的阳极相连接，第二支路通过导线接二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极通过导线接电源端子VCC，所述二极管D2的阳极通过导线接二极管D3的阴极，所述二极管D3的阳极接地，所述电源端子VCC通过电阻R1以及电容C1接地，所述比较器芯片U1A的同相输入端通过导线和电阻R1与电容C1的连接节点相连接，所述二极管D1的阴极通过导线接MOS管Q1的漏极，所述MOS管Q1的源极接地，所述MOS管Q1的栅极第一支路引出端子M_QD，第二支路通过导线接比较器芯片U1B的同相输入端，所述比较器芯片U1B的反相输入端引出端子Vref2，所述比较器芯片U1A的反相输入端引出端子Vref1，所述比较器芯片U1A的输出端第一支路通过电阻R2接电源端子VCC，第二支路通过导线接两输入与非门芯片U2A的输入端，所述比较器芯片U1B的输出端第一支路通过电阻R3接电源端子VCC，第二支路通过导线接两输入与非门芯片U2A的输入端，所述比较器芯片U1B的输出端通过电容C2接地，所述两输入与非门芯片U2A的输出端通过导线接二极管D4的阴极，所述二极管D4的阳极第一支路通过电阻R4接电源端子VCC，第二支路通过导线接两输入与非门芯片U2B的输入端，所述两输入与非门芯片U2B的两个输入端通过导线相连接，所述两输入与非门芯片U2B的输出端引出端子GL。
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