[实用新型]一种适用于数控LC振荡器的开关修调结构有效
申请号: | 201920267432.7 | 申请日: | 2019-03-04 |
公开(公告)号: | CN209517062U | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 李富华;吴庆;李昶;徐大为 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H03B5/20 | 分类号: | H03B5/20 |
代理公司: | 江苏昆成律师事务所 32281 | 代理人: | 刘尚轲 |
地址: | 215000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提出一种适用于数控LC振荡器的开关修调结构,其包括RC振荡器电路、数字控制端、粗调电容阵列,其中数字控制端与粗调电容阵列连接,粗调电容阵列包含第一差分传输线、第二差分传输线、多个数控人工电介质和开关,数控人工电介质为金属条,每根金属条按照等比例要求贴合在差分传输线的下方,且每根金属条的两端均暴露在差分传输线的外部,将第一差分传输线上的金属条与第二差分传输线上的金属条采用开关一一依次连接;从而来改变整个RC振荡器电路的电容,从而实现对RC振荡器电路的频率调节。 | ||
搜索关键词: | 差分传输线 金属条 数控 电容阵列 粗调 电介质 数字控制 本实用新型 比例要求 频率调节 依次连接 电容 贴合 暴露 外部 | ||
【主权项】:
1.一种适用于数控LC振荡器的开关修调结构,其包括RC振荡器电路、数字控制端、粗调电容阵列,其中RC振荡器电路包括:电源VCC、第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1、第二电感L2,第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2,电源VCC为直流电,第一电感L1和第一电容C1并联,且第一电感L1和第一电容C1的一端与电源VCC相连,另外一端与第二NMOS晶体管M2的栅极G端相连;第二电感L2和第二电容C2并联,且第二电感L2和第二电容C2的一端与电源VCC相连,另外一端与第一NMOS晶体管M1的栅极G端相连,第一NMOS晶体管M1的漏极D端与第一电感L1和第一电容C1的另外一端相连,第一NMOS晶体管M1的源极S端接地;第二NMOS晶体管M2的漏极D端与第二电感L2和第二电容C2的另外一端相连,第二NMOS晶体管M2的源极S端接地;其特征在于:粗调电容阵列包含第一差分传输线、第二差分传输线、多个数控人工电介质和开关,数控人工电介质为金属条,每根金属条按照等比例要求贴合在差分传输线的下方,且每根金属条的两端均暴露在差分传输线的外部,将第一差分传输线上的金属条与第二差分传输线上的金属条采用开关一一依次连接;第一差分传输线的一端连接在第一电感L1和第一电容C1的另外一端,第一差分传输线的另外一端连接在第一NMOS晶体管M1的漏极D端;第二差分传输线的一端连接在第二电感L2和第二电容C2的另外一端,第二差分传输线的另外一端连接在第二NMOS晶体管M2的漏极D端。
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