[发明专利]一种SnI2在审

专利信息
申请号: 201911404960.3 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111048658A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 冯晶;钱峰;葛振华;胡明钰 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: H01L35/34 分类号: H01L35/34;H01L35/14
代理公司: 昆明合盛知识产权代理事务所(普通合伙) 53210 代理人: 龙燕
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开一种SnI2掺杂CsGeI3钙钛矿型热电材料及其制备方法,属于新能源材料制备技术领域。具体包括以下步骤:粉体制备:将CsI、SnI2和GeI2按比例加入石英管中,抽真空后充入高纯氩气将管封严;将盛有原料的石英管放入烧结炉中,以2‑5℃/min的速率升温到450‑550℃保温12‑24h,然后以2‑5℃/min的速率降温到200‑350℃;将所得块体取出在手套箱中研磨10‑15min,即可得到SnI2掺杂CsGeI3的粉末。块体制备:将SnI2掺杂的CsGeI3粉末采用放电等离子工艺进行烧结,将粉末倒入石墨模具中,在温度为200‑400℃,压强为5‑40MPa的条件下,烧结时间为5‑30min,得到块体材料。本发明所述方法制备出钙钛矿型热电材料SnI2掺杂的CsGeI3的块体,所得块体致密度高,制备温度较低、时间较短。
搜索关键词: 一种 sni base sub
【主权项】:
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