[发明专利]一种磁控溅射阴极有效
| 申请号： | 201911382863.9 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111172504B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 胡琅;徐平;侯立涛;冯杰;胡强;方威;黄星星;尤晶 | 申请（专利权）人： | 季华实验室 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;黄家豪 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控溅射阴极，包括靶材、第一磁体结构和第二磁体结构；第一磁体结构产生第一磁力线回路，形成第一磁场；第二磁体结构产生第二磁力线回路，形成第二磁场；当启动溅射时，第一磁场作用使靶材位于第一磁力线回路内的区域形成第一等离子区，第二磁场作用使靶材位于第二磁力线回路内的区域形成第二等离子区，实现溅射；第二等离子区和第一等离子区叠加区域不完全重合；通过在第一磁体结构的基础上叠加第二磁体结构，可以增大靶材的溅射使用面积，溅射靶材的溅射后表面形态可以由V形变成U形，靶材的利用率可以从传统的20~25%增加到30~35%，提高靶材的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 阴极 | ||
【主权项】：
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