[发明专利]一种羟基氧化铁-MoS2

摘要

本发明属于纳米杂化材料技术领域，具体涉及一种羟基氧化铁‑MoS2纳米杂化材料及其制备方法、适体传感器用电极、适体传感器。该羟基氧化铁‑MoS2纳米杂化材料包括羟基氧化铁纳米棒和生长在其表面的MoS2纳米片，所述MoS2纳米片由磷钼酸水合物与硫代乙酰胺进行溶剂热反应得到。本发明的羟基氧化铁‑MoS2纳米杂化材料中，MoS2纳米片垂直生长在棒状β‑FeOOH基体上，形成组分均匀的纳米杂化多组分结构，基于该纳米杂化材料获得的miRNA‑21生物传感器具有优异的传感性能、高灵敏度、优异的稳定性和再现性、高选择性以及可行性。