[发明专利]一种新型多层带绕形低噪声坡莫合金磁屏蔽桶结构有效
| 申请号： | 201911373488.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111031775B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 丁铭;马丹跃;陆吉玺;王坤;房秀杰;韩邦成 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿;张涛 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种新型多层带绕形低噪声坡莫合金磁屏蔽桶结构，通过将表面具有绝缘层的坡莫合金带材绕制成至少两层的带绕形磁屏蔽桶主体结构，能够使得屏蔽桶的径向导电厚度不连续而阻止涡流传递，从而降低涡流损耗及其约翰逊电流噪声，同时径向导磁厚度仍然保持连续而不会增加磁滞损耗及其导致的噪声，有利于满足高屏蔽系数、低磁场噪声的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 多层 带绕形低 噪声 合金 屏蔽 结构 | ||
【主权项】：
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