[发明专利]低氧低杂多晶硅铸锭方法有效
| 申请号： | 201911351510.2 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110983438B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 陈雪 | 申请（专利权）人： | 天合光能（常州）科技有限公司;天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;B05D7/24;B05D1/02 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低氧低杂多晶硅铸锭方法，属于多晶铸锭技术领域。它包括以下步骤：A、坩埚喷涂，将坩埚喷涂氮化硅溶液，B装料，籽晶装入坩埚底部，将硅料装入坩埚中，投入铸锭炉，C、加热熔化，抽真空条件下，冲入氩气保持流量稳定，保持底部籽晶不熔，硅料熔化，D、长晶，逐步增大隔热笼开度，控制长晶速度，实现定向凝固，E、退火冷却，对长晶结束的铸锭进行冷却退火，出炉进一步冷却，去除坩埚获得多晶硅锭。本发明制备的单晶硅氧含量和杂质均较低，降低氧含量有利于降低碳化硅的生产，减低碳化硅和氮化硅的杂质有利于提高晶体质量，同时提高晶体的良率，降低铸锭成本。 | ||
| 搜索关键词： | 低氧 杂多 铸锭 方法 | ||
【主权项】：
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