[发明专利]基于多模干涉原理的高消光比粗波分复用/解复用器有效
| 申请号： | 201911350006.0 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110941048B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 唐强;朱旭愿;梁松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/28 | 分类号： | G02B6/28;G02B6/293;H04J14/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种粗波分复用/解复用器，包括：衬底；二氧化硅氧化层，位于所述衬底上；体硅下波导层，位于所述二氧化硅氧化层上；氮化硅波导层，位于所述体硅下波导层上；体硅上波导层，位于所述氮化硅波导层上；其中，在体硅下波导层、氮化硅波导层和体硅上波导层三层材料上刻蚀形成多个多模干涉耦合器，包括1.31微米/1.55微米光波的复用/解复用单元、收集单元和滤波单元，所述收集单元的输入端与复用/解复用单元相连，所述滤波单元的输入端与复用/解复用单元的输出端相连。本发明的复用/解复用器可以在不同的位置形成重新汇聚的镜像点，从而实现在两束光波可以在不同的位置被分离并且收集，因此本发明的复用/解复用器的光信号串扰小，消光比高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 干涉 原理 高消光 粗波分复用 解复用器 | ||
【主权项】：
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