[发明专利]一种共源共栅结构的基准源有效
| 申请号： | 201911344297.2 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111026219B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王海波;张洪俞;肖东岳 | 申请（专利权）人： | 南京微盟电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 奚幼坚 |
| 地址： | 210042 江苏省南京市玄武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种共源共栅结构的基准源，在设有PMOS场效应管P1、P2、P3、P6，NMOS场效应管N1、N2，三极管PNP1、PNP2、PNP3以及电阻R1、R2的基础上，增设场效应管P4、P5和P7以及场效应管N3，P4与P2、P5与P3、P7与P6以及N3与N2均构成共源共栅结构，且在共源共栅结构中引入耗尽管或者低阈值金属场效应MOS管，在明显改善电源抑制比PSRR指标的同时还可以降低最低工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共源共栅 结构 基准 | ||
【主权项】：
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